سامسونگ اعلام کرده که تولید انبوه اولین تراشه‌های ۳ نانومتری خود را آغاز کرده است، این اتفاق باعث پیشرو بودن این شرکت در تولید تراشه می‌شود، اما کیفیت این پردازنده‌ها را زمان مشخص خواهد کرد.

به نقل از وب سایتGsmarena، شرکت Samsung Foundry تولید انبوه تراشه‌های نسل اول خود را بر روی گره ۳ نانومتری شروع کرده است. فرایند تولید این تراشه‌ها براساس معماری جدید ترانزیستور یعنی GAA (Gate All Around) می‌باشد که گام بعدی پس از FinFET است.

در مقایسه با فرآیند ۵ نانومتری، تراشه‌های نسل اول ۳ نانومتری سامسونگ می‌توانند تا ۲۳ درصد عملکرد بهتر، تا ۴۵ درصد کاهش مصرف انرژی، و ۱۶ درصد کاهش سطح داشته باشد. گره ۳ نانومتری نسل دوم سامسونگ با پیشرفت بیشتری همراه خواهد بود، سامسونگ مدعی شده که این نوع گره در مقایسه با فرآیند ۵ نانومتری، به کاهش ۵۰ درصدی مصرف انرژی، تا ۳۰ درصد بهبود عملکرد، و کاهش ۳۵ درصدی مساحت دست خواهد یافت که اگر واقعاً صحت داشته باشد پیشرفت بسیار خوبی محسوب می‌شود.

در حال حاضر در تولید تراشه 3 نانو‌متری سامسونگ از TSMC جلوتر است، زیرا پیش‌بینی می‌شود که TSMC تولید انبوه تراشه‌های ۳ نانومتری خود را در نیمه دوم امسال آغاز کند، ولی نمی‌توان در مورد کیفیت تراشه‌ها سامسونگ را برتر دانست، زیرا سابقه این شرکت بیانگر این است که اگر چه در مواردی مانند تولید سریعتر با فرآیندهای جدید پیشرو بوده، اما کیفیت تراشه‌های آن در شرایط یکسان، در اغلب موارد از TSMC پایین‌تر بوده‌ است.

طراحی ترانزیستور GAA یا Gate All Around به سازندگان تراشه این امکان را می‌دهد تا ترانزیستورها را کوچک کنند، بدون اینکه توانایی انتقال جریان کاهش یابد. طراحی GAAFET مورد استفاده در گره ۳ نانومتری، از طریق فناوری MBCFET است که در تصویر زیر نشان داده شده است.

 تکاملی ترانزیستورهای سیلیکونی